Nd: YVO4-kristalli
ND: YVO4 (Neodyymi-seostettu yttrium-vandaatti) on yksi parhaimmista kaupallisesti saatavissa olevista materiaaleista diodipumpattuihin kiinteiden olosuhteiden lasereihin, erityisesti lasereihin, joiden tehotiheys on pieni tai keskimääräinen. Esimerkiksi Nd: YVO4 on parempi valinta kuin Nd: YAG pienitehoisten säteiden tuottamiseksi kädessä pidettävissä osoittimissa tai muissa kompakteissa lasereissa. Näissä sovelluksissa Nd: YOV4 sillä on joitain etuja verrattuna Nd: YAG: iin, esim. pumpun lasersäteilytyksen korkea absorptio ja suuri stimuloidun säteilyn poikkileikkaus.
ND: YVO4 on hyvä valinta erittäin polarisoidulle lähtölle aallonpituudella 1342 nm, koska päästöjohto on paljon vahvempi kuin sen vaihtoehtojen. ND: YVO4 pystyy toimimaan joidenkin epälineaaristen kiteiden kanssa, joilla on korkea NLO-kerroin (LBO, BBO, KTP), tuottamaan valoja läheisestä infrapuna-alueesta vihreään, siniseen tai jopa UV-säteeseen.
Ota yhteyttä saadaksesi paras ratkaisu Nd: YVO -sovelluksen soveltamiseen4 kiteitä.
WISOPTISET kyvyt - Nd: YVO4
• Erilaisia Nd-dopingosuhteiden vaihtoehtoja (0,1% ~ 3,0at%)
• Eri kokoja (suurin halkaisija: 16 × 16 mm2; enimmäispituus: 20 mm)
• Erilaiset pinnoitteet (AR, HR, HT)
• Korkea käsittelyn tarkkuus
• Erittäin kilpailukykyinen hinta, nopea toimitus
WISOPTIC-vakioeritelmät* - Nd: YVO4
| Dopingussuhde | Nd% = 0,2% ~ 3.0at% |
| Suuntatoleranssi | +/- 0,5 ° |
| Aukko | 1 × 1 mm2~ 16 × 16 mm2 |
| Pituus | 0,02 mm - 20 mm |
| Mittatoleranssi | (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,5 / -0,1 mm) (L≥ 2,5 mm) (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,2 / -0,1 mm) (L <2,5 mm) |
| tasomaisuus | <λ / 8 @ 632,8 nm (L≥2,5 mm) <λ / 4 @ 632,8 nm (L <2,5 mm) |
| Pinnan laatu | <20/10 [S / D] |
| rinnakkaisuus | <20 ” |
| kohtisuoruus | ≤ 5 ' |
| Särmä | ≤ 0,2 mm @ 45 ° |
| Lähetetty aaltopinnan vääristymä | <X / 4 @ 632,8 nm |
| Kirkas aukko | > 90% keskialue |
| pinnoite | AR = 1064 nm, R <0,1% ja HT @ 808 nm, T> 95%; HR @ 1064nm, R> 99,8% ja HT @ 808nm, T> 95%; HR @ 1064 nm, R> 99,8%, HR @ 532 nm, R> 99% ja HT @ 808 nm, T> 95% |
| Laservauriokynnys | > 700 MW / cm2 1064nm, 10ns, 10Hz (AR-päällystetty) |
| * Tuotteet, joilla on erityisvaatimus pyynnöstä. | |
Nd: n edut: YVO4 (verrattuna Nd: YAG)
• Laajempi pumppauskaistanleveys noin 808 nm (5 kertaa Nd: YAG)
• Suurempi stimuloitu päästöpoikkipinta-ala 1064 nm: ssä (3 kertaa Nd: YAG: n poikkipinta-ala)
• Alempi laservauriokynnys ja korkeampi kaltevuus
• Eri kuin Nd: YAG, Nd: YVO4 on yksiaksiaalinen kide, joka antaa lineaarisesti polarisoidun säteilyn, välttäen redundanttia termisesti indusoitua kahtaistumista.
Nd: n laserominaisuudet: YVO4 vs. Nd: YAG
|
Kristalli |
Doping (atm%) |
σ |
a (cm-1) |
τ (μs) |
Lα (Mm) |
Pth (MW) |
ηs (%) |
|
ND: YVO4 |
1,0 |
25 |
31.2 |
90 |
0,32 |
30 |
52 |
|
2.0 |
25 |
72,4 |
50 |
0,14 |
78 |
48.6 |
|
|
ND: YVO4 |
1.1 |
7 |
9.2 |
90 |
- |
231 |
45.5 |
|
Nd.YAG |
0,85 |
6 |
7,1 |
230 |
1,41 |
115 |
38,6 |
| σ - stimuloidun säteilyn poikkileikkaus, α - absorptiokerroin, τ - fluoresoiva käyttöikä Lα - absorptiopituus, Pth - kynnysteho, ηs - pumpun kvantitehokkuus |
|||||||
Fysikaaliset ominaisuudet - Nd: YVO4
| Atomitiheys | 1.26x1020 atomia / cm2 (Nd% = 1,0%) |
| Kristallirakenne | Zirkonin tetragonaalinen, avaruusryhmä D4h-I4 / amd a = b = 7,1 193 Ä, c = 6,2892 Ä |
| Tiheys | 4,22 g / cm2 |
| Mohsin kovuus | 4,6 ~ 5 (lasimainen) |
| Lämpölaajenemiskerroin (300K) | αa= 4.43x10-6/ K, aC= 11.37x10-6/ K |
| Lämmönjohtavuuskerroin (300K) | c: 5,23 W / (m · K); C: 5,10 W / (m · K) |
| Sulamispiste | 1820 ℃ |
Optiset ominaisuudet - Nd: YVO4
| Leasing-aallonpituus | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Taitekertoimet | positiivinen yksiakselinen, nO= na= nb ne= nC nO= 1,9573, ne= 2,1652 @ 1064 nm nO= 1,9721, ne= 2,1858 @ 808 nm nO= 2,0210, ne= 2,2560 @ 532 nm |
| Terminen optinen kerroin (300K) | dnO/dT=8.5x10-6/ K, dne/dT=3.0x10-6/ K |
| Stimuloitu päästöpoikkileikkaus | 25.0x10-19 cm2 @ 1064 nm |
| Loisteputken käyttöikä | 90 μs (1,0%% Nd seostettu) @ 808 nm |
| Imeytymiskerroin | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Imeytymispituus | 0,32 mm @ 808 nm |
| Luonnollinen menetys | 0,02 cm-1 @ 1064 nm |
| Lisää kaistanleveyttä | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Polarisoitunut lasersäteily | yhdensuuntainen optisen akselin kanssa (c-akseli) |
| Diodi pumpataan optisesta optiseen tehokkuuteen | > 60% |
|
Polarisoitu päästö |
polarisoitunut |
